BJT vs FET
Ambos BJT (Bipolar Junction Transistor) e FET (Field Effect Transistor) são dois tipos de transistores. Transistor é um dispositivo semicondutor eletrônico que fornece um sinal de saída elétrico amplamente variável para pequenas alterações em pequenos sinais de entrada. Devido a esta qualidade, o dispositivo pode ser usado como amplificador ou interruptor. O transistor foi lançado na década de 1950 e pode ser considerado uma das invenções mais importantes do século 20, considerando sua contribuição para o desenvolvimento da TI. Diferentes tipos de arquiteturas para transistores foram testados.
Transistor de junção bipolar (BJT)
BJT é composto por duas junções PN (uma junção feita conectando um semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n). Essas duas junções são formadas usando a conexão de três peças semicondutoras na ordem P-N-P ou N-P-N. Existem dois tipos de BJTs conhecidos como PNP e NPN.
Três eletrodos são conectados a essas três partes semicondutoras e o fio do meio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.
Em BJT, a corrente de emissor de coletor grande (Ic) é controlada pela corrente de emissor de base pequena (IB) e esta propriedade é explorada para projetar amplificadores ou chaves. Por isso, pode ser considerado como um dispositivo acionado por corrente. BJT é usado principalmente em circuitos amplificadores.
Transistor de efeito de campo (FET)
FET é feito de três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. Portanto, os FETs são dispositivos controlados por tensão.
Dependendo do tipo de semicondutor usado para fonte e dreno (em FET ambos são feitos do mesmo tipo de semicondutor), um FET pode ser um dispositivo de canal N ou canal P. O fluxo de corrente da fonte para o dreno é controlado ajustando a largura do canal aplicando uma tensão apropriada ao gate. Existem também duas maneiras de controlar a largura do canal conhecidas como esgotamento e aprimoramento. Portanto, os FETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal N ou canal P com modo de esgotamento ou aprimoramento.
Existem muitos tipos de FETs como MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET) que foi resultado do desenvolvimento da nanotecnologia é o mais recente membro da família FET.
Diferença entre BJT e FET
1. O BJT é basicamente um dispositivo acionado por corrente, embora o FET seja considerado um dispositivo controlado por tensão.
2. Os terminais do BJT são conhecidos como emissor, coletor e base, enquanto o FET é composto por porta, fonte e dreno.
3. Na maioria das novas aplicações, FETs são usados em vez de BJTs.
4. O BJT usa elétrons e buracos para condução, enquanto o FET usa apenas um deles e, portanto, é chamado de transistor unipolar.
5. Os FETs são energeticamente eficientes do que os BJTs.
