BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) são dois tipos de transistores usados para controlar correntes. Ambos os dispositivos têm junções PN e diferentes na estrutura do dispositivo. Embora ambos sejam transistores, eles têm diferenças significativas nas características.
BJT (Transistor de junção bipolar)
BJT é um tipo de transistor que consiste em duas junções PN (uma junção feita conectando um semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n). Essas duas junções são formadas usando a conexão de três peças semicondutoras na ordem P-N-P ou N-P-N. Portanto, dois tipos de BJTs, conhecidos como PNP e NPN, estão disponíveis.
Três eletrodos são conectados a essas três partes semicondutoras e o fio do meio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.
Em BJT, a corrente do emissor de coletor grande (Ic) é controlada pela corrente do emissor de base pequena (IB), e esta propriedade é explorado para projetar amplificadores ou interruptores. Portanto, pode ser considerado como um dispositivo acionado por corrente. BJT é usado principalmente em circuitos amplificadores.
IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma maior velocidade de comutação, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
IGBT tem os recursos combinados de MOSFET e transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por portas como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) lidam com quilowatts de energia.
Diferença entre BJT e IGBT
1. O BJT é um dispositivo acionado por corrente, enquanto o IGBT é acionado pela tensão da porta
2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o BJT é composto por emissor, coletor e base.
3. IGBTs são melhores no manuseio de energia do que BJT
4. IGBT pode ser considerado como uma combinação de BJT e um FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT tem uma estrutura de dispositivo complexa em comparação com BJT
6. BJT tem uma longa história em comparação com IGBT
