IGBT vs MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) são dois tipos de transistores, e ambos pertencem à categoria acionada por porta. Ambos os dispositivos têm estruturas de aparência semelhante com diferentes tipos de camadas semicondutoras.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
MOSFET é um tipo de transistor de efeito de campo (FET), que é feito de três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui, a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. Portanto, MOSFETs são dispositivos controlados por tensão.
MOSFETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal n ou canal p, tanto no modo de depleção quanto no modo de aprimoramento. Dreno e fonte são feitos de semicondutores do tipo n para MOSFETs de canal n, e similarmente para dispositivos de canal p. O portão é feito de metal e separado da fonte e do dreno usando um óxido metálico. Esse isolamento causa baixo consumo de energia e é uma vantagem no MOSFET. Portanto, o MOSFET é usado na lógica CMOS digital, onde os MOSFETs de canal p e n são usados como blocos de construção para minimizar o consumo de energia.
Embora o conceito de MOSFET tenha sido proposto muito cedo (em 1925), foi praticamente implementado em 1959 nos laboratórios da Bell.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma velocidade de comutação mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
IGBT tem os recursos combinados de MOSFET e transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por portas como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consiste em vários dispositivos) podem lidar com quilowatts de energia.
Diferença entre IGBT e MOSFET
1. Embora o IGBT e o MOSFET sejam dispositivos controlados por tensão, o IGBT tem características de condução semelhantes a BJT.
2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o MOSFET é feito de porta, fonte e dreno.
3. IGBTs são melhores no manuseio de energia do que MOSFETS
4. IGBT tem junções PN e MOSFETs não tem.
5. O IGBT tem uma queda de tensão direta menor em comparação com o MOSFET
6. MOSFET tem uma longa história em comparação com IGBT
