IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) são dois tipos de dispositivos semicondutores com três terminais. Ambos são usados para controlar correntes e para fins de comutação. Ambos os dispositivos têm um terminal de controle chamado 'gate', mas têm princípios de operação diferentes.
GTO (Tiristor de desligamento do portão)
GTO é feito de quatro camadas de semicondutores tipo P e tipo N, e a estrutura do dispositivo é um pouco diferente em comparação com um tiristor normal. Em análise, GTO também é considerado como par acoplado de transistores (um PNP e outro em configuração NPN), o mesmo que para tiristores normais. Três terminais do GTO são chamados de 'ânodo', 'cátodo' e 'portão'.
Em operação, o tiristor atua conduzindo quando um pulso é fornecido à porta. Possui três modos de operação conhecidos como ‘modo de bloqueio reverso’, ‘modo de bloqueio direto’ e ‘modo de condução direta’. Uma vez que o portão é acionado com o pulso, o tiristor vai para o 'modo de condução direta' e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor que o limite 'corrente de retenção'.
Além das características dos tiristores normais, o estado 'off' do GTO também é controlável através de pulsos negativos. Em tiristores normais, a função 'off' acontece automaticamente.
GTOs são dispositivos de energia e são usados principalmente em aplicações de corrente alternada.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma velocidade de comutação mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
IGBT possui os recursos combinados de MOSFET e transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por portas como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) lidam com quilowatts de energia.
Qual é a diferença entre IGBT e GTO?
1. Três terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o GTO possui terminais conhecidos como ânodo, cátodo e porta.
2. O gate do GTO precisa apenas de um pulso para comutação, enquanto o IGBT precisa de um fornecimento contínuo de tensão do gate.
3. IGBT é um tipo de transistor e GTO é um tipo de tiristor, que pode ser considerado como um par de transistores fortemente acoplados em análise.
4. IGBT tem apenas uma junção PN, e GTO tem três delas
5. Ambos os dispositivos são usados em aplicações de alta potência.
6. O GTO precisa de dispositivos externos para controlar o desligamento e a ativação dos pulsos, enquanto o IGBT não precisa.
