IGBT vs Tiristor
Tiristor e IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) são dois tipos de dispositivos semicondutores com três terminais e ambos são usados para controlar correntes. Ambos os dispositivos têm um terminal de controle chamado 'gate', mas têm princípios de operação diferentes.
Tiristor
Tiristor é feito de quatro camadas alternadas de semicondutores (na forma de P-N-P-N), portanto, consiste em três junções PN. Na análise, isso é considerado como um par de transistores fortemente acoplados (um PNP e outro na configuração NPN). As camadas mais externas de semicondutores do tipo P e N são chamadas de ânodo e cátodo, respectivamente. O eletrodo conectado à camada semicondutora tipo P interna é conhecido como 'portão'.
Em operação, o tiristor atua conduzindo quando um pulso é fornecido à porta. Possui três modos de operação conhecidos como ‘modo de bloqueio reverso’, ‘modo de bloqueio direto’ e ‘modo de condução direta’. Uma vez que o portão é acionado com o pulso, o tiristor vai para o 'modo de condução direta' e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor que o limite 'corrente de retenção'.
Tiristores são dispositivos de potência e na maioria das vezes são usados em aplicações onde estão envolvidas altas correntes e tensões. A aplicação de tiristores mais usada é o controle de correntes alternadas.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e tem uma maior velocidade de comutação, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado na década de 1980.
IGBT possui os recursos combinados de MOSFET e transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por portas como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, tem as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) lidam com quilowatts de energia.
Resumindo:
Diferença entre IGBT e Tiristor
1. Três terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o tiristor possui terminais conhecidos como ânodo, cátodo e porta.
2. A porta do tiristor só precisa de um pulso para mudar para o modo de condução, enquanto o IGBT precisa de um fornecimento contínuo de tensão de porta.
3. O IGBT é um tipo de transistor, e o tiristor é considerado um par de transistores firmemente acoplado em análise.
4. O IGBT tem apenas uma junção PN e o tiristor tem três delas.
5. Ambos os dispositivos são usados em aplicações de alta potência.
